» » » » Таблица описания транзистора для Orcad PSpice Model Editor

Таблица описания транзистора для Orcad PSpice Model Editor

Автор: Inna от 14-01-2013, 11:20

В стандартные библиотеки Orcad включены импортные радиоэлектронные компоненты, поэтому при использовании отечественных необходимо создавать новые библиотечные элементы (транзисторы, микросхемы и т. п.). Данная таблица содержит всю необходимую информацию для создания элемента Cadence в виде транзистора.

Обозначение параметра

Параметр

Размерность

Значение по умолчанию

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход

 

1

BF

Максимальный коэффициент передачи тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)

 

100

BR

Максимальный коэффициент передачи тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ

 

1

CJC

Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении

Ф

0

CJE

Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении

пФ

0

CJS (CCS)

Емкость коллектор-подложка при нулевом смещении

Ф

0

EG

Ширина запрещенной зоны

эВ

1,11

FC

Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов

 

0,5

GAMMA

Коэффициент легирования эпитаксиальной обл.

 

10-11

 

IKF (IK)*

Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме

А

IKR*

Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме

А

IRB*

Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM

А

IS

Ток насыщения при температуре 27°С

А

10-16

ISC (C4)*

Ток насыщения утечки перехода база-коллектор

А

0

ISE (C2)*

Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер

А

0

ISS

Обратный ток p-n-перехода подложки

А

0

ITF

Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах

А

0

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

 

0

MJC (МС)

Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода

 

0,33

MJE (ME)

Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода

 

0,33

MJS (MS)

Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка

 

0

NC*

Коэффициент неидеальности коллекторного перехода

 

1,5

NE*

Коэффициент неидеальности перехода база-эмиттер

 

1,5

NF

Коэффициент не идеальности в нормальном режиме

 

1

NK

Коэффициент, определяющий множитель Qb

 

0,5

NR

Коэффициент неидеальности в инверсном режиме

 

1

NS

Коэффициент неидеальности перехода подложки

 

1

PTF

Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора fГР=1/(2Πtf)

градус

0

QCO

Множитель, определяющий заряд в эпитаксиальной области

Кл

0

RB

Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер

Ом

0

RBM*

Минимальное сопротивление базы при больших токах

Ом

RB

RC

Объемное сопротивление коллектора

Ом

0

RCO

Сопротивление эпитаксиальной области

Ом

0

RE

Объемное сопротивление эмиттера

Ом

0

TF

Время переноса заряда через базу в нормальном режиме

с

0

TR

Время переноса заряда через базу в инверсном режиме

с

0

TRB1       

Линейный температурный коэффициент RB

0C-1

0

TRB2

Квадратичный температурный коэффициент RB

0C-2

0

TRC1

Линейный температурный коэффициент RC

0C-1

0

TRC2

Квадратичный температурный коэффициент RC

0C-2

0

TRE1

Линейный температурный коэффициент RE

0C-1

0

TRE2

Квадратичный температурный коэффициент RE

0C-2

0

TRM1

Линейный температурный коэффициент RBM

0C-1

0

TRM2

Квадратичный температурный коэффициент RBM

0C-2

0

T_ABS

Абсолютная температура

0C

 

T_MEASURED

Температура измерений

0C

 

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

0C

 

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

0C

 

VAF (VA)*

Напряжение Эрли в нормальном режиме

В

VAR (VB)*

Напряжение Эрли в инверсном режиме

В

VJC (PC)

Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор

В

0,75

VJE (PE)

Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер

В

0,75

VJS (PS)

Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка

В

0,75

VO

Напряжение, определяющее перегиб зависимости тока эпитаксиальной области

В

10

VTF

Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор

В

XCJC

Коэффициент расщепления емкости база-коллектор CJC

 

1

XCJC2

Коэффициент расщепления емкости база-коллектор CJC

 

1

ХТВ

Температурный коэффициент BF и BR

 

0

XTF

Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор

 

0

ХТI (РТ)

Температурный коэффициент IS

 

3

* Только для модели Гуммеля-Пуна

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Четверг
08-12-2016
17:26
Поиск по сайту

Профиль
Здравствуйте Гость


Логин:
Пароль:
Поиск документации
Новое на форуме
Усилитель НЧ Hi-Fi 32 Вт на TDA2050 [Усилители] Ответов 15, последний: 26-11-2016, 13:08 от DOSS
терменвокс [Разное] Ответов 2, последний: 22-11-2016, 12:54 от tuskinette
Часы пропеллер [Светоэффекты] Ответов 101, последний: 12-11-2016, 10:03 от AAArchi
помогите с воздушным трансформатором [Разное] Ответов 0, последний: 21-10-2016, 01:30 от Den_Ch1k
сабвуфер watson [Усилители] Ответов 1, последний: 31-07-2016, 19:30 от Tonich
Новое в блогах
Программатор ключей Ibutton RW1990 на arduino 05.05.2016 - Программатор ключей Ibutton RW1990 на … (0)
Регулятор громкости на Arduino и энкодере 31.03.2016 - Регулятор громкости на Arduino и энкод… (1)
Двухканальный ШИМ регулятор мощности на AtTiny 13 27.03.2016 - Двухканальный ШИМ регулятор мощности н… (0)
Резистивная клавиатура на Arduino pro micro 23.03.2016 - Резистивная клавиатура на Arduino pro … (0)
Зарядное устройство Li-ion аккумуляторов 22.01.2016 - Зарядное устройство Li-ion аккумулятор… (13)
Статистика
Пользователей онлайн: 42
Гостей: 41
Зарегистрированных: 1
владимир васильевич
Реклама
Теги

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Покаказать все теги
Социальные сети