Главная » Материалы за 19.06.2013 » Страница 166
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

BLF6H10L-160_6H10LS-160

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Power LDMOS transistor
Подробнее 622 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BLM7G22S-60PB_7G22S-60PBG

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
LDMOS 2-stage power MMIC
Подробнее 800 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BLF8G22LS-200V_8G22LS-200GV

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Power LDMOS transistor
Подробнее 701 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMPB47XP

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
30 V, single P-channel Trench MOSFET
Подробнее 963 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMPB29XPE

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Подробнее 982 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BLF8G10LS-270V_8G10LS-270GV

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Power LDMOS transistor
Подробнее 729 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BLF8G22LS-270V_8G22LS-270GV

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Power LDMOS transistor
Подробнее 852 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BLF8G24L-200P_LS-200P

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Power LDMOS transistor
Подробнее 836 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PSMN5R6-100PS

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel 100 V 5.6 mО© standard level MOSFET in TO220
Подробнее 901 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMPB20XPE

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Подробнее 796 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 162 163 164 165 166 167 168 169 170 ... 727»