Главная » Материалы за 19.06.2013 » Страница 632
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 47 kOhm
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10kOhm, R2 = 47 kOhm
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kО©, R2 = 47kО©
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS standard level FET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kО©, R2 = 47kО©
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 10 kOhm
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm