Главная » Материалы за 19.06.2013 » Страница 664
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Single high-voltage switching diode
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
2.5 V to 3.3 V UART, 5 Mbit/s (max.) with 128-byte FIFOs, infrared (IrDA), and 16 mode or 68 mode parallel bus interface
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS logic level FET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS FET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 5 GHz wideband transistor
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Unidirectional ESD protection diode