Главная » Материалы за 19.06.2013 » Страница 726
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

PMEG4010EH_EJ_ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
Подробнее 1082 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG3010EH_EJ_ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
Подробнее 1060 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG2010EH_EJ_ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
Подробнее 1056 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

2PB709ART

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor
Подробнее 1337 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

2PD601ART

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
Подробнее 1153 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BAS21J

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Single high-speed switching diode
Подробнее 1272 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BAT54J

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Schottky barrier single diode
Подробнее 1289 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN113E_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
Подробнее 1179 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN123E_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Подробнее 1230 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN123Y_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1316 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 718 719 720 721 722 723 724 725 726 727»