Главная » Документация » Datasheets » Страница 2209
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

PBSS306NZ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
100 V, 5.1 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor
Подробнее 894 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS306PX

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
100 V, 3.7 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor
Подробнее 1037 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS4032NT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
30 V, 2.6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor
Подробнее 994 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS4032PT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
30 V, 2.4 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor
Подробнее 1016 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PESD16VX1UL

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode
Подробнее 933 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

1PS66SB82_1PS88SB82

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
15 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diodes
Подробнее 5903 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG1020EH_EJ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
10 V, 2 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
Подробнее 1165 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG1030EH_EJ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
10 V, 3 A ultra low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers
Подробнее 1357 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG2010AEJ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 1 A very low V_F MEGA Schottky barrier rectifier in SOD323F package
Подробнее 1038 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG2015EH_EJ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 1.5 A very low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers
Подробнее 1043 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 2205 2206 2207 2208 2209 2210 2211 2212 2213 ... 2618»