Главная » Документация » Datasheets » Страница 2215
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

PBSS303PD

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 1214 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS303PX

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
30 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 1173 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BAT960

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Schottky barrier diode
Подробнее 1214 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BAT854W_SERIES

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Schottky barrier (double) diodes
Подробнее 1359 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS303NZ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
30 V, 5.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 971 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS302PZ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 1013 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS303NX

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
30 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 985 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS302NZ

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 1203 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS302NX

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 1006 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PDTC123Y_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1014 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 2211 2212 2213 2214 2215 2216 2217 2218 2219 ... 2618»