Главная » Документация » Datasheets » Страница 2231
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

PBSS2515E

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 1326 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG3010BEP

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 1333 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG3020DEP

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
2 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 1302 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG3010BER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 1343 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG3020BER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
2 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 1310 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG2010BER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 5451 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSS304PD

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Подробнее 5486 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PDTD113ZT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1204 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PIMC31

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
500 mA, 50 V NPN/PNP double resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1288 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BUK725R0-40C

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS standard level FET
Подробнее 1257 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2235 ... 2618»