Главная » Документация » Страница 2190
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

BUK6211-75C

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS FET
Подробнее 911 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

2N7002BKS

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
Подробнее 1480 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PDTB113ZT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 938 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

2N7002BKV

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
Подробнее 1552 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PDTB123ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Подробнее 934 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG4005CT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
500 mA low V_F dual MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 1049 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMEG3005CT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
500 mA low V_F dual MEGA Schottky barrier rectifier
Подробнее 1108 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BUK6212-40C

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Подробнее 939 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMBD7000

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Double high-speed switching diode
Подробнее 1066 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PDTB113ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
Подробнее 904 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 2186 2187 2188 2189 2190 2191 2192 2193 2194 ... 2620»