Главная » Материалы за 19.06.2013 » Страница 226
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

BF1205

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Dual N-channel dual gateMOS-FET
Подробнее 5372 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BF1206

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
Dual N-channel dual-gateMOS-FET
Подробнее 1003 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BF1211_R_WR

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel dual-gate MOS-FETs
Подробнее 750 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BF1212_R_WR

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel dual-gate MOS-FETs
Подробнее 809 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PSMN4R3-80BS

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel 80 V, 4.3 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
Подробнее 800 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PMV48XP

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET
Подробнее 1061 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BUK663R5-55C

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Подробнее 767 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

BUK664R4-55C

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Подробнее 682 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PSMN130-200D

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Подробнее 854 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PHB27NQ10T

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
N-channel TrenchMOS standard level FET
Подробнее 1070 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 222 223 224 225 226 227 228 229 230 ... 727»