Главная » Документация » Datasheets » NXP Semiconductors » Страница 131
 дата | рейтинг | просмотры | комментарии | алфавит

PBSM5240PFH

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET
Подробнее 874 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBSM5240PF

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channelTrench MOSFET
Подробнее 915 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP123YT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1249 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP123YT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1240 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP123ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Подробнее 1193 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP123ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Подробнее 1105 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP113ZT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1503 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP113ZT

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1295 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP113ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
Подробнее 5637 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRP113ET

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
Подробнее 1301 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN123Y_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1600 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN123Y_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1238 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN123E_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Подробнее 1413 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN123E_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Подробнее 1235 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN113Z_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1250 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN113Z_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
Подробнее 1111 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN113E_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
Подробнее 1350 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBRN113E_SER

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
Подробнее 5828 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBR951

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
UHF wideband transistor
Подробнее 1108 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

PBR951

Автор: radioaktiv от 19-06-2013, 11:50
UHF wideband transistor
Подробнее 1004 0
 

Категория: Документация » Datasheets » NXP Semiconductors

«1 ... 127 128 129 130 131 132 133 134 135 ... 363»