Компания Samsung лидирующая в разработке технологий DRAM начиная с 1997 года, разработала новейший в отрасли модуль DDR4 объёмом 16Гб. Ничего лишнего, только удвоенная производительность и небывалый объём.
 
Samsung объявила о начале поставок первых модулей памяти DDR4 емкостью 16 Гбайт. А это ни много ни мало четвертое поколение синхронной динамической регистровой памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Конечно, в первую очередь, решение для корпоративных серверных систем, но такими темпами, пользователи персональных компьютеров тоже скоро заимеют модули памяти DDR4, а это, на ряду с новейшими разработками Intel, Nvidia и AMD приведёт опять же к страшному росту производительности современных компьютеров. В итоге ваш "Десептикон" в ожидании восстания машин, будет жить своей жизнью, отвлекаясь на ваши мелкие запросы:)

Первые модули памяти емкостью 8 ГБ и 16 ГБ, изготовленные на основе 30-нм технологии, Samsung предоставила производителям процессоров в июне. Новые модули позволят уменьшить размеры или повысить производительность корпоративных серверов премиум класса. Впервые приборы DDR4 емкостью 2 ГБ с технологическими нормами 30 нм Samsung выпустила в декабре 2010 года и развивала эту ветвь до сегодняшнего дня.


Благодаря архитектуре DDR4, модули обладают самой высокой производительностью среди всех ЗУ, представленных на современном компьютерном рынке, а через год, по заявления samsung, вдвое превысят пропускную способность DDR3, что по сути является 3200Мбит/с .Также модули DDR4 намного экономичнее DDR3. Ведь за счет снижения напряжения питания до 1.2 В, мощность удалось сократить примерно на 40% по сравнению с DDR3, работающими при напряжении 1.35 В.

В настоящее время Samsung работает с патентами и стандартами DDR4. По сообщению компании, она планирует начать совместную работу с потребителями своей продукции, включая OEM производителей серверного оборудования, а также изготовителей процессоров и контроллеров, в целях расширения рыночной ниши модулей DDR4, массовое производство которых предполагается начать в 2013 году. Кроме того, Samsung намерена продолжать экспансию на рынок памяти, создав в ближайшие годы на основе технологии 20 нм модуль динамической памяти (DRAM) емкостью 32 ГБ.

В 1997 году, разработав первый в отрасли модуль DDR, Samsung заняла лидирующие позиции в производстве DRAM. Далее в 2001 г. компанией был представлен модуль DDR2, а в 2005 – DDR3, изготовленный по технологии 80 нм.