В стандартные библиотеки Orcad включены импортные радиоэлектронные компоненты, поэтому при использовании отечественных необходимо создавать новые библиотечные элементы (транзисторы, микросхемы и т. п.). Данная таблица содержит всю необходимую информацию для создания элемента Cadence в виде транзистора.
| Обозначение параметра |
Параметр |
Размерность |
Значение по умолчанию |
|
AF |
Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход |
|
1 |
|
BF |
Максимальный коэффициент передачи тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки) |
|
100 |
|
BR |
Максимальный коэффициент передачи тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ |
|
1 |
|
CJC |
Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
Ф |
0 |
|
CJE |
Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении |
пФ |
0 |
|
CJS (CCS) |
Емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
Ф |
0 |
|
EG |
Ширина запрещенной зоны |
эВ |
1,11 |
|
FC |
Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов |
|
0,5 |
|
GAMMA |
Коэффициент легирования эпитаксиальной обл. |
|
10-11
|
|
IKF (IK)* |
Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме |
А |
∞ |
|
IKR* |
Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме |
А |
∞ |
|
IRB* |
Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM |
А |
∞ |
|
IS |
Ток насыщения при температуре 27°С |
А |
10-16 |
|
ISC (C4)* |
Ток насыщения утечки перехода база-коллектор |
А |
0 |
|
ISE (C2)* |
Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер |
А |
0 |
|
ISS |
Обратный ток p-n-перехода подложки |
А |
0 |
|
ITF |
Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах |
А |
0 |
|
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума |
|
0 |
|
MJC (МС) |
Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода |
|
0,33 |
|
MJE (ME) |
Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода |
|
0,33 |
|
MJS (MS) |
Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка |
|
0 |
|
NC* |
Коэффициент неидеальности коллекторного перехода |
|
1,5 |
|
NE* |
Коэффициент неидеальности перехода база-эмиттер |
|
1,5 |
|
NF |
Коэффициент не идеальности в нормальном режиме |
|
1 |
|
NK |
Коэффициент, определяющий множитель Qb |
|
0,5 |
|
NR |
Коэффициент неидеальности в инверсном режиме |
|
1 |
|
NS |
Коэффициент неидеальности перехода подложки |
|
1 |
|
PTF |
Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора fГР=1/(2Πtf) |
градус |
0 |
|
QCO |
Множитель, определяющий заряд в эпитаксиальной области |
Кл |
0 |
|
RB |
Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер |
Ом |
0 |
|
RBM* |
Минимальное сопротивление базы при больших токах |
Ом |
RB |
|
RC |
Объемное сопротивление коллектора |
Ом |
0 |
|
RCO |
Сопротивление эпитаксиальной области |
Ом |
0 |
|
RE |
Объемное сопротивление эмиттера |
Ом |
0 |
|
TF |
Время переноса заряда через базу в нормальном режиме |
с |
0 |
|
TR |
Время переноса заряда через базу в инверсном режиме |
с |
0 |
|
TRB1 |
Линейный температурный коэффициент RB |
0C-1 |
0 |
|
TRB2 |
Квадратичный температурный коэффициент RB |
0C-2 |
0 |
|
TRC1 |
Линейный температурный коэффициент RC |
0C-1 |
0 |
|
TRC2 |
Квадратичный температурный коэффициент RC |
0C-2 |
0 |
|
TRE1 |
Линейный температурный коэффициент RE |
0C-1 |
0 |
|
TRE2 |
Квадратичный температурный коэффициент RE |
0C-2 |
0 |
|
TRM1 |
Линейный температурный коэффициент RBM |
0C-1 |
0 |
|
TRM2 |
Квадратичный температурный коэффициент RBM |
0C-2 |
0 |
|
T_ABS |
Абсолютная температура |
0C |
|
|
T_MEASURED |
Температура измерений |
0C |
|
|
T_REL_GLOBAL |
Относительная температура |
0C |
|
|
T_REL_LOCAL |
Разность между температурой транзистора и модели-прототипа |
0C |
|
|
VAF (VA)* |
Напряжение Эрли в нормальном режиме |
В |
∞ |
|
VAR (VB)* |
Напряжение Эрли в инверсном режиме |
В |
∞ |
|
VJC (PC) |
Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор |
В |
0,75 |
|
VJE (PE) |
Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер |
В |
0,75 |
|
VJS (PS) |
Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка |
В |
0,75 |
|
VO |
Напряжение, определяющее перегиб зависимости тока эпитаксиальной области |
В |
10 |
|
VTF |
Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор |
В |
∞ |
|
XCJC |
Коэффициент расщепления емкости база-коллектор CJC |
|
1 |
|
XCJC2 |
Коэффициент расщепления емкости база-коллектор CJC |
|
1 |
|
ХТВ |
Температурный коэффициент BF и BR |
|
0 |
|
XTF |
Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор |
|
0 |
|
ХТI (РТ) |
Температурный коэффициент IS |
|
3 |
|
* Только для модели Гуммеля-Пуна |
|||
09.02.21 - 
30.07.20 - 
11.12.18 - 
16.04.17 - 
05.05.16 -